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| 产品 | 描述 | RoHS | 价格 | 状态 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
K4FBE3D4HM-GHCL
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4FBE3D4HM-GHCL
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F8E3S4HD-GFCL
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F8E3S4HD-GFCL
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F8E3S4HB-MFCJ
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F8E3S4HB-MFCJ
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F6E3S4HM-THCL
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F6E3S4HM-THCL
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F6E3S4HM-GUCL
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F6E3S4HM-GUCL
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F6E3S4HM-GFCL
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F6E3S4HM-GFCL
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F6E3D4HB-MFCJ
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F6E3D4HB-MFCJ
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F4E3S4HF-GFCJ
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F4E3S4HF-GFCJ
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F2E3S4HM-MHCJ
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F2E3S4HM-MHCJ
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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K4F2E3S4HA-THCL
品牌：
SAMSUNG(三星半导体)
包装：
FBGA-200
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K4F2E3S4HA-THCL
存储器
动态随机存取存储器(DRAM)
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ROHS
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库存 2000
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